서브메뉴
검색
Details
유도대전소자모델(FCDM)을 이용한 ESD에 의한 반도체소자의 손상 메커니즘 해석
유도대전소자모델(FCDM)을 이용한 ESD에 의한 반도체소자의 손상 메커니즘 해석
Detailed Information
MARC
008011115s2001 ulkaILa kor■022 ▼a12251046
■245 ▼a유도대전소자모델(FCDM)을 이용한 ESD에 의한 반도체소자의 손상 메커니즘 해석▼d김두현 ▼e김상렬
■260 ▼a서울▼b(사) 한국산업안전학회▼c2001.
■300 ▼app. 57
■653 ▼a유도대전▼a소자모델▼a이용▼aESD▼a반도체소자▼a손상▼a메커니즘
■700 ▼a김두현
■700 ▼a김상렬
■773 ▼t산업안전학회지▼g2001년 6월호 (제16권 2호)▼d2001, 06
■SIS ▼aS011852▼b64777▼h1▼s2▼fP
■URL ▼ahttp://
Preview
Export
ChatGPT Discussion
AI Recommended Related Books
高级搜索信息
- 预订
- 不存在
- 请求书借
- 我的文件夹
- 第一种观点
| 注册编号 | 呼叫号码. | 收藏 | 状态 | 借信息. |
|---|---|---|---|---|
| AR131401 | 연속간행물실 | My Folder |
*保留在借用的书可用。预订,请点击预订按钮


