서브메뉴
검색
Details
ICP-CVD에 의해 성장된 SiC에 제작된 Ni/SiC 쇼트키 다이오드의 특성
ICP-CVD에 의해 성장된 SiC에 제작된 Ni/SiC 쇼트키 다이오드의 특성
Detailed Information
MARC
008050119s2004 ULKa a KOR■245 ▼aICP-CVD에 의해 성장된 SiC에 제작된 Ni/SiC 쇼트키 다이오드의 특성▼d김한수
■260 ▼a안성시▼b두원공과대학▼c2004.
■300 ▼app. 149-153
■653 ▼aICP▼aCVD▼a성장된▼aSIC▼a제작된▼aSIC▼a쇼트키▼a다이오드
■700 ▼a김한수
■773 ▼t논문집 - 두원공과대학▼g2004년 12월 (제11집)▼d2004, 12
■URL ▼ahttp://library.doowon.ac.kr/
■SIS ▼aS024671▼b202168▼h3▼s2▼fD
Preview
Export
ChatGPT Discussion
AI Recommended Related Books
Подробнее информация.
- Бронирование
- не существует
- Книга оказать запросу
- моя папка
- Первый запрос зрения
| Reg No. | Количество платежных | Местоположение | статус | Ленд информации |
|---|
* Бронирование доступны в заимствований книги. Чтобы сделать предварительный заказ, пожалуйста, нажмите кнопку бронирование


