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ICP-CVD에 의해 성장된 SiC에 제작된 Ni/SiC 쇼트키 다이오드의 특성
ICP-CVD에 의해 성장된 SiC에 제작된 Ni/SiC 쇼트키 다이오드의 특성
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MARC
008050119s2004 ULKa a KOR■245 ▼aICP-CVD에 의해 성장된 SiC에 제작된 Ni/SiC 쇼트키 다이오드의 특성▼d김한수
■260 ▼a안성시▼b두원공과대학▼c2004.
■300 ▼app. 149-153
■653 ▼aICP▼aCVD▼a성장된▼aSIC▼a제작된▼aSIC▼a쇼트키▼a다이오드
■700 ▼a김한수
■773 ▼t논문집 - 두원공과대학▼g2004년 12월 (제11집)▼d2004, 12
■URL ▼ahttp://library.doowon.ac.kr/
■SIS ▼aS024671▼b202168▼h3▼s2▼fD


