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CBE(chemical beam epitaxy)로 성장한 1.1Чm 파장대를 가지는 InGaAsP의 PR(photoreflectance) 특성연구
CBE(chemical beam epitaxy)로 성장한 1.1Чm 파장대를 가지는 InGaAsP의 PR(photoreflectance) 특성연구
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MARC
008040915s1996 ULKa a KOR■245 ▼aCBE(chemical beam epitaxy)로 성장한 1.1Чm 파장대를 가지는 InGaAsP의 PR(photoreflectance) 특성연구▼d한병국
■260 ▼a경산시▼b경산대학교▼c1996.
■300 ▼app. 199-207
■653 ▼aCHEMICAL▼aBEAM▼aEPITAXY▼a파장대▼aINGAASP▼aPHOTOREFLECTANCE▼a특성연구
■700 ▼a한병국
■773 ▼t논문집 - 경산대학교▼g1996년 12월 (제14집)▼d1996, 08
■URL ▼ahttp://library.dhu.ac.kr/
■SIS ▼aS023615▼b216809▼h3▼s2▼fD


