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Cl2/Ar gas로 Al2O3 기판위에 성장시킨 GaN 박막의 CAIBE 특성
Cl2/Ar gas로 Al2O3 기판위에 성장시킨 GaN 박막의 CAIBE 특성
Detailed Information
- 자료유형
- 보고서
- 서명/저자
- Cl2/Ar gas로 Al2O3 기판위에 성장시킨 GaN 박막의 CAIBE 특성 / 박원일
- 발행사항
- 전주시 : 전주공업대학 산업기술연구원, 1999.
- 형태사항
- pp. 22-26
- 기타저자
- 박원일
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- shingu:202606
MARC
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■653 ▼a기판위▼a성장시킨▼aGAN▼a박막▼aCAIBE
■700 ▼a박원일
■773 ▼t논문집 - 전주공업대학 산업기술연구원▼g1999년 8월 (제31집)▼d1999, 08
■URL ▼ahttp://203.249.35.15/
■SIS ▼aS021614▼b192506▼h3▼s2▼fP
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