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MOCVD법에 의해 성장된 Tio2/p-Si 구조의 전기적 특성
MOCVD법에 의해 성장된 Tio2/p-Si 구조의 전기적 특성 / 손맹호 ; 임종수
MOCVD법에 의해 성장된 Tio2/p-Si 구조의 전기적 특성

Detailed Information

자료유형  
 보고서
서명/저자  
MOCVD법에 의해 성장된 Tio2/p-Si 구조의 전기적 특성 / 손맹호 ; 임종수
발행사항  
수원시 : 경기대학교, 1997.
형태사항  
pp. 15-21
키워드  
MOCVD 성장된 구조 전기적
기타저자  
손맹호
기타저자  
임종수
기본자료저록  
논문집 - 자연과학편 경기대학교 : 1997년 1월 (제40집3호) 1997, 08
URL  
http://library.kyonggi.ac.kr/
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
shingu:190752

MARC

 008030604s1997        ULKa    a                          KOR
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