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MOCVD법에 의해 성장된 Tio2/p-Si 구조의 전기적 특성
MOCVD법에 의해 성장된 Tio2/p-Si 구조의 전기적 특성
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MARC
008030604s1997 ULKa a KOR■245 ▼aMOCVD법에 의해 성장된 Tio2/p-Si 구조의 전기적 특성▼d손맹호▼e임종수
■260 ▼a수원시▼b경기대학교▼c1997.
■300 ▼app. 15-21
■653 ▼aMOCVD▼a성장된▼a구조▼a전기적
■700 ▼a손맹호
■700 ▼a임종수
■773 ▼t논문집 - 자연과학편 경기대학교▼g1997년 1월 (제40집3호)▼d1997, 08
■URL ▼ahttp://library.kyonggi.ac.kr/
■SIS ▼aS019772▼b189532▼h3▼s2▼fD


