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Modeling and Parameter Extraction for Transit Time and Excess Phase Delay of RF Silicon Bipolar Transistors at High Current Densities
Modeling and Parameter Extraction for Transit Time and Excess Phase Delay of RF Silicon Bipolar Transistors at High Current Densities
상세정보
- 자료유형
- 보고서
- ISSN
- 12265586
- 서명/저자
- Modeling and Parameter Extraction for Transit Time and Excess Phase Delay of RF Silicon Bipolar Transistors at High Current Densities / Seongheam Lee
- 발행사항
- 서울 : SK Telecom(주), 2002.
- 형태사항
- pp. 455
- 키워드
- MODELING PARAMETER EXTRACTION TRANSIT EXCESS PHASE DELAY SILICON BIPOLAR TRANSISTORS HIGH CURRENT DENSITIES
- 기타저자
- Seonghearn Lee
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- shingu:175621
MARC
008020628s2002 ULKa a KOR■022 ▼a12265586
■245 ▼aModeling and Parameter Extraction for Transit Time and Excess Phase Delay of RF Silicon Bipolar Transistors at High Current Densities▼dSeongheam Lee
■260 ▼a서울▼bSK Telecom(주)▼c2002.
■300 ▼app. 455
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■700 ▼aSeonghearn Lee
■773 ▼tTelecommunications REVIEW▼g2002년 5월호 (제12권 3호)▼d2002, 06
■SIS ▼aS016930▼b64771▼h4▼s2▼fP
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