서브메뉴
검색
상세정보
PECVD법에 의해 증착된 SiO2 후막 특성에서 N2O/SiH4 Flow Ratio와 RF Power가 미치는 영향
PECVD법에 의해 증착된 SiO2 후막 특성에서 N2O/SiH4 Flow Ratio와 RF Power가 미치는 영향
상세정보
MARC
008011210s2001 ulkaILa kor■022 ▼a12297801
■245 ▼aPECVD법에 의해 증착된 SiO2 후막 특성에서 N2O/SiH4 Flow Ratio와 RF Power가 미치는 영향▼d조성민▼e김용탁▼e서용곤▼e임영민▼e윤대호
■260 ▼a서울▼b한국세라믹학회▼c2001.
■300 ▼app. 1037
■653 ▼aPECVD▼aSIO2▼a증착▼a후막▼aFlow▼aRatio▼aRF▼aPower
■700 ▼a조성민
■700 ▼a김용탁
■700 ▼a서용곤
■700 ▼a임영민
■700 ▼a윤대호
■773 ▼t한국세라믹학회지▼g2001년 11월 (제38권 11호)▼d2001, 11
■SIS ▼aS013515▼b64638▼h1▼s2▼fP
■URL ▼ahttp://society.kordic.re.kr/~kcs
미리보기
내보내기
chatGPT토론
Ai 추천 관련 도서
소장정보
- 예약
- 서가에 없는 책 신고
- 대출신청
- 나의폴더
- 우선정리요청
| 등록번호 | 청구기호 | 소장처 | 대출가능여부 | 대출정보 |
|---|---|---|---|---|
| AR152633 | 연속간행물실 | 마이폴더 |
* 대출중인 자료에 한하여 예약이 가능합니다. 예약을 원하시면 예약버튼을 클릭하십시오.


