서브메뉴
검색
Details
PECVD법에 의해 증착된 SiO2 후막 특성에서 N2O/SiH4 Flow Ratio와 RF Power가 미치는 영향
PECVD법에 의해 증착된 SiO2 후막 특성에서 N2O/SiH4 Flow Ratio와 RF Power가 미치는 영향
Detailed Information
MARC
008011210s2001 ulkaILa kor■022 ▼a12297801
■245 ▼aPECVD법에 의해 증착된 SiO2 후막 특성에서 N2O/SiH4 Flow Ratio와 RF Power가 미치는 영향▼d조성민▼e김용탁▼e서용곤▼e임영민▼e윤대호
■260 ▼a서울▼b한국세라믹학회▼c2001.
■300 ▼app. 1037
■653 ▼aPECVD▼aSIO2▼a증착▼a후막▼aFlow▼aRatio▼aRF▼aPower
■700 ▼a조성민
■700 ▼a김용탁
■700 ▼a서용곤
■700 ▼a임영민
■700 ▼a윤대호
■773 ▼t한국세라믹학회지▼g2001년 11월 (제38권 11호)▼d2001, 11
■SIS ▼aS013515▼b64638▼h1▼s2▼fP
■URL ▼ahttp://society.kordic.re.kr/~kcs
Preview
Export
ChatGPT Discussion
AI Recommended Related Books
Подробнее информация.
- Бронирование
- не существует
- Книга оказать запросу
- моя папка
- Первый запрос зрения
| Reg No. | Количество платежных | Местоположение | статус | Ленд информации |
|---|---|---|---|---|
| AR152633 | 연속간행물실 | My Folder |
* Бронирование доступны в заимствований книги. Чтобы сделать предварительный заказ, пожалуйста, нажмите кнопку бронирование
