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Effect of Dopants on Cobalt Silicidation Behavior at Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor Sidewall Spacer Edge
Effect of Dopants on Cobalt Silicidation Behavior at Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor Sidewall Spacer Edge
상세정보
- 자료유형
- 보고서
- ISSN
- 12297801
- 서명/저자
- Effect of Dopants on Cobalt Silicidation Behavior at Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor Sidewall Spacer Edge / Jong-Chae Kim ; Yeong-Cheol Kim ; Byung-Kook Kim
- 발행사항
- 서울 : 한국세라믹학회, 2001.
- 형태사항
- pp. 871
- 키워드
- EFFECT DOPANTS COBALT SILICIDATION BEHAVIOR METALOXIDESEMICONDUCTOR FIELDEFFECT TRANSISTOR SIDEWALL SPACER EDGE
- 기타저자
- Jong-Chae Kim
- 기타저자
- Yeong-Cheol Kim
- 기타저자
- Byung-Kook Kim
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- shingu:131674
MARC
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■245 ▼aEffect of Dopants on Cobalt Silicidation Behavior at Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor Sidewall Spacer Edge▼dJong-Chae Kim▼eYeong-Cheol Kim▼eByung-Kook Kim
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■700 ▼aJong-Chae Kim
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■773 ▼t한국세라믹학회지▼g2001년 10월 (제38권 10호)▼d2001, 10
■SIS ▼aS013269▼b64638▼h1▼s2▼fP
■URL ▼ahttp://www.society.kordic.re.kr/~kcs
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