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차세대 MOSFET 소자용 고유전율 게이트 절연막 기술
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■653 ▼a차세대▼aMOSFET▼a소자용▼a고유전율▼a게이트▼a절연막▼a기술
■700 ▼a황현상
■773 ▼t세라미스트▼g2월호(제4권1호)▼d2001, 04
■SIS ▼aS010242▼b64654▼h4▼s2
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| AR127142 | 연속간행물실 | 마이폴더 |
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